অপটিক্যালি বিচ্ছিন্ন পরিমাপ প্রযুক্তির কিছু সফল কেস স্টাডি কী কী?

অপটিক্যালি বিচ্ছিন্ন পরিমাপ প্রযুক্তির সফল কেস স্টাডিগুলি-যেসব উদাহরণে আপনি আগ্রহী-সত্যিই জটিল ইলেক্ট্রোম্যাগনেটিক পরিবেশের মধ্যেও "নির্ভুলভাবে প্রামাণিক সংকেত পুনরুত্পাদন" করার শক্তিশালী ক্ষমতা প্রদর্শন করে৷ আমি গোলমালের হস্তক্ষেপে জর্জরিত হওয়ার এবং পরীক্ষার ফলাফলের মুখোমুখি হওয়ার হতাশা বুঝতে পারি যা অকল্পনীয় বলে মনে হয়; এই বাস্তব-বিশ্ব, বাস্তবায়িত কেসগুলি এই ধরনের পরিমাপের বাধাগুলি ভাঙার জন্য গুরুত্বপূর্ণ রেফারেন্স পয়েন্ট হিসাবে কাজ করে।

এর ব্যতিক্রমী উচ্চ সাধারণ মোড প্রত্যাখ্যান অনুপাত (CMRR) এবং নিম্ন পরজীবী পরামিতিগুলিকে কাজে লাগিয়ে, অপটিক্যালি আইসোলেটেড পরিমাপ প্রযুক্তি উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি, উচ্চ-ভোল্টেজ পরিস্থিতিতে-যেমন নতুন শক্তির গাড়ির মোটর কন্ট্রোলার, উচ্চ{{3}পাওয়ার, সিপিসিডিসি, উচ্চ-পাওয়ার, সিপিসিডিসি (পাওয়ার) MOSFET ডাইনামিক টেস্টিং। এটি প্রথাগত ডিফারেনশিয়াল প্রোবের মুখোমুখি হওয়া ক্রমাগত চ্যালেঞ্জের সমাধান করে-যেমন, সাধারণ-মোড হস্তক্ষেপ-এর ফলে সৃষ্ট সিগন্যাল দোলন এবং বিকৃতি যার ফলে ন্যানোসেকেন্ড স্তরে সুইচিং প্রক্রিয়াগুলির সঠিক ক্যাপচার সক্ষম করে৷

I. নতুন এনার্জি ভেহিকেল মোটর কন্ট্রোলার: উচ্চ-ডাবলের সময় সাইড ভিজিএস-পালস টেস্টিং এর সুনির্দিষ্ট পরিমাপ

নতুন এনার্জি গাড়ির মোটর কন্ট্রোলারের জন্য ডাবল-পালস টেস্টিংয়ের প্রেক্ষাপটে, ব্রিজ সার্কিটের মধ্যে উচ্চ-পার্শ্বের MOSFET-এর Vgs (গেট-সোর্স ভোল্টেজ) পরিমাপ করাই মূল চ্যালেঞ্জ। অত্যন্ত দ্রুত স্যুইচিং গতির কারণে (ন্যানোসেকেন্ড পরিসরে ঘটছে), ঐতিহ্যগত ডিফারেনশিয়াল প্রোবগুলি প্রায়ই সাধারণ-মোড হস্তক্ষেপের কারণে উচ্চ ডিভি/ডিটি অবস্থার অধীনে গুরুতর সংকেত দোলন প্রদর্শন করে, প্রকৌশলীরা এই শিল্পকর্মগুলিকে প্রকৃত সার্কিট ডিজাইনের ত্রুটি হিসাবে ভুল নির্ণয় করে।

সমাধান: পরিমাপের জন্য Micsig MOIP1000P অপটিক্যালি আইসোলেটেড প্রোব (180 dB পর্যন্ত একটি CMRR সমন্বিত) নিযুক্ত করা হয়েছে।

ফলাফল: উচ্চ-পাশের MOSFET-এর জন্য পরিষ্কার, বিকৃতি-বিনামূল্যে Vgs ওয়েভফর্ম সফলভাবে ক্যাপচার করা হয়েছে৷ এই তরঙ্গরূপগুলি তাত্ত্বিক বিশ্লেষণের সাথে অত্যন্ত সারিবদ্ধ, প্রকৌশলীদের সুইচিং ক্ষতি এবং সার্কিটের কার্যকারিতা সঠিকভাবে মূল্যায়ন করতে সক্ষম করে, যার ফলে অপ্রয়োজনীয় এবং অকার্যকর সার্কিট পরিবর্তনগুলি এড়ানো যায়।

গ্রাহক প্রতিক্রিয়া: পূর্বে, ডিফারেনশিয়াল প্রোব ব্যবহার করে বারবার চেষ্টা করা সত্ত্বেও দোলন সমস্যাটি অমীমাংসিত ছিল; অপটিক্যালি আইসোলেটেড প্রোবে স্যুইচ করার পরে, "ফলাফলগুলি দুর্দান্ত ছিল," সরাসরি R&D পর্বের মুখোমুখি হওয়া একটি বড় বাধার সমাধান করে।

২. উচ্চ-পাওয়ার ডিসি নিয়ন্ত্রিত পাওয়ার সাপ্লাই: SiC ডিভাইস ডেভেলপমেন্টের সময় সিগন্যালের অখণ্ডতা নিশ্চিত করা

একটি প্রধান পাওয়ার সাপ্লাই প্রস্তুতকারক, সিলিকন কার্বাইড (SiC) প্রযুক্তির উপর ভিত্তি করে পাওয়ার প্রোডাক্ট তৈরি করার সময়, উচ্চ- সাইড MOSFET-এর Vgs পরিমাপ করতে প্রথাগত ডিফারেনশিয়াল প্রোব ব্যবহার করে৷ পরিবর্তনের সুনির্দিষ্ট মুহুর্তে, সংকেতটি গুরুতর দোলন প্রদর্শন করেছিল, যা প্রকৌশলীরা নির্ধারণ করতে অক্ষম রেখেছিল যে সার্কিট ডিজাইনের ত্রুটি বা পরিমাপের ত্রুটির কারণে এই অসঙ্গতিটি উদ্ভূত হয়েছিল।

সমাধান: উচ্চ-রেজোলিউশন MHO3-5004 অসিলোস্কোপের সাথে যুক্ত Micsig MOIP1000P অপটিক্যাল আইসোলেশন প্রোব সমন্বিত একটি সমন্বয়ের বাস্তবায়ন।

ফলাফল: পরিমাপ করা তরঙ্গরূপগুলি দেখায় যে উচ্চ-পাশের MOSFET-এর Vgs সংকেতটি মসৃণ এবং দোলনমুক্ত, ডিভাইসের প্রকৃত সুইচিং বৈশিষ্ট্যগুলিকে সঠিকভাবে প্রতিফলিত করে এবং পাওয়ার সাপ্লাই ডিজাইন অপ্টিমাইজেশানের জন্য একটি নির্ভরযোগ্য ভিত্তি প্রদান করে৷

প্রযুক্তিগত সুবিধা: অপটিক্যাল আইসোলেশন প্রোবের 180 dB CMRR 1 GHz ফ্রিকোয়েন্সি ব্যান্ডের মধ্যেও 100 dB-এর বেশি পারফরম্যান্স বজায় রাখে, কার্যকরভাবে উচ্চ- ফ্রিকোয়েন্সি ইএমআই হস্তক্ষেপকে দমন করে।

III. সিলিকন কার্বাইড (SiC) MOSFET ডাইনামিক টেস্টিং: ন্যানোসেকেন্ডের সুনির্দিষ্ট বৈশিষ্ট্য-স্কেল পরিবর্তনের বৈশিষ্ট্য

CREE C3M0075120K SiC MOSFET-এর গতিশীল পরীক্ষার সময়, ঐতিহ্যগত প্রোবগুলি-উচ্চ পরজীবী ক্যাপাসিট্যান্স (10–50 pF) দ্বারা চিহ্নিত-স্থানচ্যুতি স্রোত প্রবর্তন করে যা বর্তমান সংকেতের বিশ্বস্ততার সাথে আপস করে এবং তরঙ্গের দোলনকে প্ররোচিত করে।

সমাধান: Micsig MOIP200P অপটিক্যাল আইসোলেশন প্রোবের ব্যবহার (একটি 200 MHz ব্যান্ডউইথ, শুধুমাত্র 1 pF এর একটি পরজীবী ক্যাপাসিট্যান্স, এবং একটি 180 dB CMRR) গেট-সোর্স ভোল্টেজ (Vgs) এবং ড্রেন (ভিডিএস){5}ভোল্টেজ পরিমাপ করতে।

ফলাফল:

পরিমাপ করা Vgs এবং Vds তরঙ্গরূপ কোন বিকৃতি প্রদর্শন করে না এবং সিমুলেশন ফলাফলের সাথে ঘনিষ্ঠভাবে সারিবদ্ধ হয়।

1 পিএফ-এর অতি-নিম্ন পরজীবী ক্যাপাসিট্যান্স কার্যত কোনো অতিরিক্ত বর্তমান ত্রুটির পরিচয় দেয় না, যার ফলে স্যুইচিং ক্ষতির গণনার জন্য একটি নির্ভরযোগ্য ডেটা ভিত্তি প্রদান করে।

কেস ভ্যালু: এই প্রযুক্তিটি ব্যাপক-ব্যান্ডগ্যাপ সেমিকন্ডাক্টর সেক্টরের শিল্প আপগ্রেড করার জন্য একটি গুরুত্বপূর্ণ সক্ষম প্রযুক্তি হিসাবে আবির্ভূত হয়েছে, কার্যকরভাবে "চিপ ডিজাইন" থেকে "প্যাকেজিং" এর মাধ্যমে "সিস্টেম অ্যাপ্লিকেশন" এর মাধ্যমে সমগ্র মান শৃঙ্খলকে ব্রিজ করে।